| RK | 企業(yè) |
|---|---|
| 1 | 長江存儲 |
| 2 | 長鑫存儲 |
| 3 | 兆易創(chuàng)新 |
| 4 | 瀾起科技 |
| 5 | 紫光國微 |
| 6 | 江波龍 |
| 7 | 佰維存儲 |
| 8 | 深科技 |
| 9 | 國科微 |
| 10 | 德明利 |
| 11 | 東芯半導體 |
| 12 | 聚辰股份 |
| 13 | 福建晉華 |
| 14 | 普冉半導體 |
| 15 | 金泰克 |
| 16 | 同有科技 |
| 17 | 新芯股份 |
| 18 | 朗科科技 |
| 19 | 恒爍股份 |
| 20 | 華瀾微 |
| 21 | 宏杉科技 |
| 22 | 嘉合勁威 |
| 23 | 時創(chuàng)意 |
| 24 | 威固信息 |
| 25 | 得瑞DERA |
| 26 | 大唐存儲 |
| 27 | 澤石科技 |
| 28 | 憶芯科技 |
| 29 | 特納飛 |
| 30 | 康盈半導體 |
| 2024.11 DBC/CIW/CIS | |
變革：AI驅動下的供需失衡
隨著5G、人工智能（AI）、車聯(lián)網及云計算等新一代信息技術的快速迭代，海量數(shù)據(jù)的生成與處理已成為常態(tài)，數(shù)據(jù)存儲市場正經歷著前所未有的井噴式增長。盡管半導體存儲器行業(yè)整體近年來仍處于下行周期，但高算力等特定需求的激增，正深刻影響著存儲產業(yè)的發(fā)展方向，并吸引了各大廠商紛紛下場布局。
近期，韓國存儲芯片巨頭海力士宣布了一項重大投資計劃，計劃投資1000億韓元擴大包括HBM在內的下一代存儲芯片產能，以應對快速增長的AI需求。海力士的這一決策不僅反映了AI領域對高算力存儲芯片的迫切需求，也預示著存儲產業(yè)即將迎來新一輪的產能擴張。
眾所周知，人工智能的飛速發(fā)展催生了巨大的存力需求，當前存儲芯片市場供不應求的現(xiàn)象尤為嚴重。根據(jù)市場數(shù)據(jù)顯示，從去年四季度至今，存儲芯片價格已經大漲55%，眾多存儲廠商明年的產能甚至已被搶購一空。這種供需失衡的情況，使得各大存儲巨頭紛紛加大投資，以期在未來的競爭中占據(jù)有利位置。
機遇：國產廠商替代加速
存儲芯片全球市場規(guī)模約為萬億人民幣，市場主要由三星、海力士、美光和西部數(shù)據(jù)等巨頭占據(jù)。其中，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲器市場90%以上的份額。三星、海力士和美光在這兩個賽道中占據(jù)主導地位，市場份額分別達到44%、28%和23%。
NAND Flash因其大容量存儲、高寫入和擦除速度的特點，廣泛應用于智能手機、平板電腦、U盤、固態(tài)硬盤、服務器等領域。國內企業(yè)中，NAND芯片領域企業(yè)主要是長江存儲和兆易創(chuàng)新，不過規(guī)模較小，未來還有很長的路要走。
DRAM作為易失型存儲器，主要用于系統(tǒng)硬件的運行內存，廣泛應用于手機、計算機和服務器。目前，三星、海力士和美光在DRAM市場中占據(jù)絕對優(yōu)勢。國內企業(yè)如長鑫存儲也在這一領域有所布局，但與國際巨頭相比，仍需在技術和產能上迎頭趕上。
近年來，多家存儲芯片公司登陸A股市場，主要集中在科創(chuàng)板，如普冉股份、東芯股份、恒爍股份和聚辰股份等。這些公司雖然在技術和市場份額上與國際巨頭相比尚有差距，但憑借輕資產模式和國內市場的快速發(fā)展，依然展現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
結語
總體而言，存儲芯片行業(yè)正處于變革的重要時期。國際巨頭的加碼擴產、國內企業(yè)的技術創(chuàng)新和市場拓展，都將成為推動這一行業(yè)向前發(fā)展的關鍵力量。誰能最終笑到最后，目前仍難以定論，但可以肯定的是，存儲產業(yè)將迎來更加激烈的競爭和更加廣闊的發(fā)展前景。
（文/楚風）
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